EasyGaN

Science de l'ingénieur

  • Entrée à l’incubateur :
  • Laboratoire(s) associé(s) :Crhea CNRS Sophia Antipolis

site internet

Le projet

EasyGaN est une startup qui propose des produits pour la filière GaN sur Silicium. Située à Sophia Antipolis, EasyGaN est une spin-off du CRHEA-CNRS, un centre de recherche reconnu avec 20+ années d’expérience dans la croissance épitaxiale du GaN.
La société développe des substrats clés en main répondant aux barrières technologiques du GaN (Nitrure de Gallium) sur silicium et aux exigences du marché́ en termes de qualité́ et de coût. La solution EasyGaN constitue une technologie alternative permettant aux nouveaux entrants de contourner les barrières imposées par la propriété́ intellectuelle existante dans le domaine du GaN. C’est aussi une technologie générique pouvant adresser divers marchés et applications électroniques et optoélectroniques.
Le substrat « epiready » EasyGaN est constitué d’une couche d’AlN (Nitrure d’Aluminium) déposée sur un substrat silicium. L’ensemble est fabriqué par une technique de synthèse alternative : « l’épitaxie par jets moléculaires » (EJM) ou « Molecular Beam Epitaxy » (MBE en anglais).
Notre équipe est forte d’une grande expérience dans l’épitaxie du GaN ainsi que dans la réalisation de composants semi-conducteurs en général.
Laboratoire d’origine : Crhea CNRS Sophia Antipolis



EasyGaN

  • Créée le

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EasyGaN est une startup qui propose des produits pour la filière GaN sur Silicium. Située à Sophia Antipolis, EasyGaN est une spin-off du CRHEA-CNRS, un centre de recherche reconnu avec 20+ années d’expérience dans la croissance épitaxiale du GaN.

EasyGaN is a startup providing solutions for an easy access to the GaN-on-silicon technology. Located on the French Riviera, EasyGaN is a spin-off of Crhea-CNRS, an internationally recognized research center with 20+ years of experience in the epitaxial growth of GaN. Our team has extensive experience in the epitaxial growth of GaN on silicon and the realization of semiconductor devices.

Molecular beam epitaxy for high-quality GaN-on-Si
GaN has been a key semiconductor material in the lighting industry for years now and has become increasingly needed for high quality electronic devices, MEMS, sensors and more. The GaN-on-sapphire technology is currently the most common approach to GaN devices but the need for lower costs, higher yields and new functionalities has put GaN-on-silicon at the forefront of the next generation of GaN devices. Mastering GaN-on-silicon technology however remains a challenge for most, and the commonly used techniques often fail to deliver on the material and device quality levels.​

EasyGaN relies on original molecular beam epitaxy techniques to circumvent such issues and offer you a broad range of innovating solutions with striking benefits:

Easy access to state-of-the art GaN-on-Si technology

MOCVD-compatible solutions from epiready templates to full epiwafer stacks.

High material quality, reproducibility and yield ensured by the unique advantages of molecular beam epitaxy.

Proprietary solutions bypass existing intellectual property and offer you an alternative path to GaN-on-Si.

Dedicated solutions for your GaN devices in the fields of optoelectronics, electronics and beyond.